技术研讨

压敏电阻（英语：Varistor 或Voltage Dependent Resistor，缩写VDR），又称变阻器、变阻体或突波吸收器，是一种具有显著非欧姆导体性质的电子元件，电阻值会随外部电压而改变，因此它的电流-电压特性曲线具有显著的非线性。压敏电阻广泛的被应用在电子线路中，来防护因为电力供应系统的暂态电压突波所可能对电路的伤害。当高压来到时，压敏电阻的电阻降低而将电流予以分流，因而保护了敏感的电子元件。

压敏电阻它的电阻会因两端电压之不同而改变，也就是说，英文名称Varistor 得名于Variable（会变的）+ Resistor（电阻）两字的结合，也称为VDR (Voltage Dependent Resistor )。变阻器通常用来保护电子电路，防止受到过大的暂态电压破坏或干扰。

虽然压敏电阻(变阻器)的英文 Varistor 字源来自「可变」与「电阻」两字，但压敏电阻与可变电阻这两个名词指的是完全不同的两种零件，请勿混淆。可变电阻是一种欧姆导体(电流-电压特性曲线是线性的)，附带一提的是: 常见具有三个端子的可变电阻英文称为电位计(potentiometer)，至于较少见只有两个端子的可变电阻英文称为rheostat(没有专属译名，可变电阻器)。

动作原理

突波吸收器之保护原理： 压敏电阻在预备状态时，相对于受保护之电子组件而言， 具有很高的阻抗（数兆欧姆）而且不会影响原设计电路之特性。但当瞬间突波电压出现（超过突波吸收器之崩溃电压时）， 该突波吸收器之阻抗会变低（仅有几个欧姆）并造成线路短路，也因此电子产品或较昂贵之组件受到保护。

金属氧化物压敏电阻

最常见的压敏电阻是金属氧化物压敏电阻（MOV, Metal Oxide Varistor），它包含由氧化锌颗粒与少量其他金属氧化物或聚合物间隔构成的陶瓷块，夹于两金属片间。颗粒与邻近氧化物交界处会形成二极体效应，由于有大量杂乱颗粒，使得它等同于一大堆背向相连的二极体，低电压时只有很小的逆向漏电电流，当遇到高电压时，二极体因热电子与隧道效应而发生逆向崩溃，流通大电流。因此，压敏电阻的电流-电压特性曲线具有高度的非线性: 低电压时电阻高、高电压时电阻低。

由于主要成份或品牌的不同，金属氧化物压敏电阻有时还可以看到这些名称: ZNR (Zinc-Oxide Non-linear Resistor, 氧化锌非线性电阻)、ZOV (Zinc-oxide Varistor)、CNR ( Composite Nonlinear Resistor[2])，TNR (Titanium-oxide based Non-linear Resistor, 氧化钛非线性电阻, 不过也可能是Toshiba Non-linear Resistor, 东芝公司的非线性电阻等。

典型的压敏电阻特性曲线

主要成份种类

氧化锌，Zinc Oxide，ZnO

碳化矽，Silicon Carbide，SiC

氧化钛，Titanium Oxide，TiO2

應用領域

1. 电源端子的突波防护
2. 介面端子的突波防护，如电话线介面等。

1.

电压温度系数：指在规定的温度范围（温度为20℃～70℃）内，压敏电阻器标称电压的变化率，即在通过压敏电阻器的电流保持恒定时，温度改变1 ℃时，压敏电阻器两端电压的相对变化。

2.

电流温度系数：指在压敏电阻器的两端电压保持恒定时，温度改变1℃时，流过压敏电阻器电流的相对变化。

3.

标称电压(V)：指通过1mA直流电流时压敏电阻器两端的电压值

4.

電壓比：指壓敏電阻器的電流為1mA時產生的電壓值與壓敏電阻器的電流為0.1mA時產生的電壓值之比。

5.

最大限制电压(V)：指压敏电阻器两端所能承受的最高电压值。

6.

漏电流(mA)：漏电流也称等待电流，是指压敏电阻器在规定的温度和最大直流电流下，流过压敏电阻器电流。

7.

残压比：通过压敏电阻器的电流为某一值时，在它两端所产生的电压称为这一电流值的残压。残压比则是残压与标称电压之比。

8.

通流容量(kA)：通流容量也称通流量，是指在规定的条件（规定的时间间隔和次数，施加标准的冲击电流）下，允许通过压敏电阻器上的最大脉冲（峰值）电流值。

9.

静态电容量（PF）：指压敏电阻器本身固有的电容容量。

10.

绝缘电阻：指压敏电阻器的引出线(引脚)与电阻体绝缘表面之间的电阻值。

11.

电压非线性系数：指压敏电阻器在给定的外加电压作用下，其静态电阻值与动态电阻值之比。